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电子学科特邀于洪宇教授作半导体技术前沿专题报告


2025年12月22日


2025年12月19日上午,西安理工大学 “科研育人‘启智计划’系列学术活动·创新论坛第二百六十二讲” 在金花校区学科2号楼报告厅举办,自动化学院特邀国家级人才于洪宇教授作题为《Si基GaN器件及系统研究与产业前景》的专题报告。学校科技处、科协联合自动化学院共同承办,校内师生百余人到场聆听,报告由电子科学与技术学科带头人杨媛教授主持。

于洪宇教授围绕Si基GaN器件这一第三代半导体技术前沿领域,系统介绍了其在集成电路工艺与器件方向的最新研究成果。报告重点解析了Si基GaN器件的材料生长、器件设计及系统集成关键技术,结合团队自主研发的耐压增强型GaN功率器件等产品,展示了其在新能源汽车电驱系统、工业电源模块等场景的应用案例。于教授强调,当前Si基GaN器件产业正处于爆发增长期,2024年全球市场规模已突破27.7亿美元,未来五年复合增长率预计超30%,我国需在器件可靠性、封装工艺等“卡脖子”技术上实现突破。

报告现场互动热烈,师生就GaN器件的可靠性、散热技术、成本控制及国产化替代等问题与于教授深入交流。此次论坛为师生提供了与行业顶尖专家对话的平台,有助于推动电子学科在第三代半导体领域的科研布局与人才培养。未来,电子学科将持续通过学校“启智计划”系列学术活动,邀请更多领域专家分享前沿成果,助力学科交叉融合与创新能力提升。






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