时间：2016年10月15日
地点：西安理工大学图书馆报告厅
由我校承办的2016年中国电源学会元器件专业委员会（ECDC2016）西安学术研讨会将于2016年10月15日在我校金花校区图书馆报告厅举行，大会邀请了中国科学院院士、国内外知名教授和专家学者做关于半导体新材料与新器件等方面的主题报告，并进行学术交流活动。
中国电源学会元器件专委会专注于电源用电子元器件的新材料、新技术、新元件及新器件的交流与发展。本次大会将聚焦电子元器件的国际最新发展动态，搭建元器件、电源领域内学术研究与研发生产单位之间的交流平台，促进我国元器件和电源行业及高校相关学科的共同发展。
热忱欢迎广大专家学者、师生、技术人员等光临交流！
附：报告安排
时间 |
报告人 |
报告题目 |
上午 |
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| 09:50-10:30 |
郝跃 院士 |
宽禁带半导体器件进展与展望 |
| 10:30-11:10 |
徐德鸿 教授 |
电力电子技术 2030 展望 |
| 11:10-11:50 |
Dr. Tatsuhiko Fujihira （藤平龙彦） |
Impact of SiC and RC-IGBT on Drive and Power Supply for E-Mobility |
| 下午 |
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| 13:30-14:10 |
Dr. Petar Grbovic |
Power Semiconductors: Yesterday, Today and Tomorrow |
| 14:10-14:50 |
陈治明 教授 |
宽禁带半导体器件实用化的材料物理学问题 |
14:50-15:30 |
刘国友 教授 |
IGBT配套用FRD技术及其发展趋势 |
| 15:45-16:25 |
张红卫 总经理 |
大功率IGBT器件封装技术与挑战 |
16:25-17:05 |
杨旭 教授 |
氮化镓新材料器件的应用与集成技术 |
17:05-17:45 |
陈彤 总经理 |
我国碳化硅功率器件产业化的机遇与挑战 |
