目：Emitter Engineering in modern IGBTs and Nakagawa-limit
报告人：Prof. Dr-Ing. Prof. H.C. Josef Lutz(德国开姆尼茨工业大学)
时 间：2016年4月11日（周一）下午14：30
地 点：北学科楼2层学术报告厅
专家简介：
Josef Lutz教授，德国开姆尼茨工业大学资深教授，1999年获德国伊尔梅瑙理工大学博士学位，现为开姆尼茨工业大学微电子中心（ZfM）的董事会成员及电力电子及电磁可靠性系教授，PCIM Europe顾问理事，欧洲电力电子及驱动会议（EPE）的国际科学委员，国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD）的技术委员，国际功率半导体器件研讨会（ISPS）的项目委员，集成电力电子系统（CIPS）国际会议的技术项目委员以及学术期刊Microelectronics Reliability的编辑顾问委员。2005年被俄罗斯北高加索联邦大学授予荣誉教授。
Lutz教授于1982年获斯图加特大学硕士学位，后加入赛米控集团，从事GTO和快速二极管研究，发明了局域寿命控制二极管（CAL-diode），发明专利25项。
Lutz教授的研究主要集中在功率半导体器件的耐用性、封装可靠性以及电动汽车驱动方向。目前负责德国、欧盟及其他国家多项国际合作研究项目，发表论文270多篇，在欧洲和日本功率半导体可靠性研究领域享有很高的地位。专著有《Semiconductor Power Devices - Physics, Characteristics, Reliability》德文版及与Schlangenotto H.、Scheuermann U.和 De Doncker R等教授合著的英文版。
